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本測試方法主要用于耐濕性評估和強健性測試。樣品放置于一個高壓、高濕環境下，在壓力下濕氣進入封裝，使弱點暴露，如分層、金屬腐蝕。本測試用于評估新封裝或封裝材料變更（塑封料、芯片鈍化層）或設計變更（如芯片、觸點尺寸）。但本試驗不應用于基于封裝的層壓板或膠帶，如FR4材料、聚酰亞胺膠帶等。
運行本試驗和評估試驗結果須考慮一些注意事項。失效機制，內部和外部的，可能產生于不符合預期使用條件。大多半導體元件在應用時不會超過95%濕度，包括壓縮濕氣如下雨或霧。高溫高濕和高壓的綜合可能產生非現實的材料失效因為吸濕對大多數塑料材料會降低玻璃化溫度。高壓蒸煮試驗結果推斷應小心。
無偏高壓蒸煮試驗的目的在于用壓縮濕氣或飽和濕氣環境下，評估非氣密性封裝固態元件的抗濕性。這是一個采用壓力、濕度、濕度條件的高加速試驗，在高壓條件下加速濕氣滲透到外外部保護物料（塑封料或絲印）或沿外保護物料與金屬導電層之間界面滲入。本測試用于識別封裝內部的失效機制，并且是破壞性的。

2、設備

    本測試要求一個可維持規定溫度和濕度的PCT高壓蒸煮試驗箱。
    2.1記錄
    建議每個測試循環有一套溫度曲線記錄，以便驗證應力條件。
    2.2應力儀器
    應力儀器不近于內部箱表面3cm,不能直接受熱。
    2.3離子污染
    測試工件不應受到離子污染。
    2.4蒸餾水或去離子水
    小1M.cm電阻

3、測試條件

測試條件包括溫度、濕度、蒸氣壓和時間

PCT高壓蒸煮試驗箱溫濕度壓力

    注1公差應用于整個可用的試驗區域。
    注2試驗條件應持續施加，除去中間讀數點。對中間讀數點，器件件應在5.2規定時間內返回加壓。
    注3本文件之前的版本規定以下試驗條件。
    條件A：24hrs（-0，+2）
    條件B：48hrs（-0，+2）
    條件C：96hrs（-0，+5）
    條件D：168hrs（-0，+5）
    條件E：240hrs（-0，+8）
    條件F：336hrs（-0，+8）
    試驗時間由內部鑒定要求、JESD47或適用的程序文件規定。典型為96小時。
    注意：對塑封微電路，濕氣會降低塑封料的有效的玻璃化溫度。在有效的玻璃化溫度之.上的應力溫度可能導致與操作使用相關的失效機理。

4、程序

    受試器件應以一定方式固定，暴露在規定的溫度、濕度條件下。應避免元件置于100℃以上和小于10%R.H.濕度的環境中，特別是上升、下降和先期測量干燥期間。上升和下降時間應分別小于3小時。在設備控制和冷卻程序時要特別小心防止受試器件受到破壞性的降壓。確保減少污染，經常清潔試驗腔體。
    4.1試驗周期
    溫度和相對濕度達到第4條規定的設定點啟動試驗計時，并在下降開始點停止計時。
    4.2測試
    電測試應在下降結束降到室溫不早于2小時，不超過48小時內進行。對于中間測量，在下降階段結束后96小時內器件恢復應力。器件從高壓蒸煮試驗箱移出后,可以通過把器件放入密封的潮濕袋(無干燥劑)中來減小器件的潮氣釋放速率。當器件放入密封袋時，測試時間計時以器件暴露于實驗室環境中潮氣釋放速率的1/3來計算。這樣通過把器件裝入潮氣密封袋中測試時間可延長到144小時，壓力恢復時間也延長到288小時。
    4.3處理
    應使用消除任何來源的附帶污染或靜電放電損壞的手環，處理器件和測試夾具。在本試驗和任何高加速濕氣應力試驗中，污染控制是重要的。